ESD二极管的工作原理主要基于其独特的PN结结构和反向击穿特性。当ESD二极管两端的电压超过其反向击穿电压（VBR）时，PN结会发生反向击穿，此时二极管会迅速从高阻状态转变为低阻状态，为静电电荷提供一条低阻抗的放电通路。随着静电电荷的迅速释放，二极管两端的电压会逐渐降低，当电压降至低于VBR时，PN结会恢复高阻状态，等待下一次静电放电冲击的到来。值得注意的是，ESD二极管在反向击穿时并不会像普通二极管那样长久损坏。反向击穿电压（VBR）是ESD二极管开始导通并提供低阻抗放电通路的电压阈值。在选择ESD二极管时，需要确保VBR值低于被保护电路所能承受的较大电压，以防止在正常工作条件下误触发。VBR值越低，表示ESD二极管对静电放电冲击的控制能力越强。在正常工作条件下（即无静电放电冲击时），ESD二极管会存在一定的漏电流。这个漏电流应该尽可能小，以避免对电路的正常工作产生影响。漏电流的大小是衡量ESD二极管性能的一个重要指标。
ESD二极管，即静电放电保护二极管，是一种常用于电子设备中的保护元件。它主要用于防止静电放电对电子元器件产生损害，通过吸收和耗散静电放电的能量，保护后方的电子元器件免受损害。ESD二极管基于PN结形成。在正常工作状态下，它处于正向偏置状态，阻抗很小。当外界静电放电接触到ESD二极管时，会形成高压脉冲，使二极管的PN结瞬间反向击穿，导电能力有效增加。ESD二极管一般由PN结、金属电极和保护结构组成，其中PN结是其关键部件。
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